Användning av cookies

Lunds universitet använder cookies för att se till att webbplatsen fungerar korrekt och för att förbättra din upplevelse.

Läs mer i vår cookiepolicy

Sökresultat

Filtrera

Nollställ filter

Filtyp

Din sökning på "*" gav 566933 sökträffar

No title

Compositionally graded channel AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) offer a promising route to improve device linearity, which is necessary for low-noise radio-frequency amplifiers. In this work, we demonstrate different grading profiles of a 10-nm-thick AlxGa1-xN channel from x = 0 to x = 0.1 using hot-wall metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The growth process is dev