Development of Ferroelectric Hafnium Oxide for Negative Capacitance Field Effect Transistors
Du vaknar på morgonen kollar på din mobiltelefon om det hänt något nytt och spännande, tar datorn med dig till jobbet eller plugget och efter en lång dag sätter du dig i soffan och slår på Tvn. Alla dessa prylar har en central roll i vår vardag och är baserade på en gemensam nämnare som möjliggjort detta– transistorn. I din mobiltelefon finns det ungefär 200 miljarder av dem, i datorn ännu fler. TWith the transistor being the workhorse in modern electronics it has been vastly improved since its invention. However, the previous go-to improvement method of scaling it down has reached a dead end. Power dissipation has become a large concern and is in need of a solution. In the pursuit of further improving the transistor structure and its performance new approaches are being evaluated. A very
