Spin-FET based on InGaAs/InP heterostructure
Populärvetenskaplig sammanfattning Genom nedskalning av mikroelektroniken, kan både prestanda, kostnad, och effektförbrukning förbättras och har därmed varit ett mål för elektronikindustrin. Dimensionerna är så låga i nuvarande teknik att parasitisk kapacitans och läckströmmar begränsar möjliga fördelar. Spintronik är en ny teknik under utveckling som skulle kunna erbjuda lösningar för dessa problA new design based on the spinFET proposed by Datta-Das was fabricated, using a channel defined by etching on a 2DEG material and nanomagnets as top-gates. The magnetotransports properties were measured at low temperatures. Magnetoresistance changes with different behaviors were measured in different configurations and the presence of hysteresis showed the action of the nanomagntes. But, due to th